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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | 膝阻抗最大值： | 600 Ω |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 4.7 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 电压温度Coeff-Max： | 0.94 mV/ °C |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT55C4V7-GS18 | VISHAY |
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Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.4%, 0.5W, |
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| BZT55C4V7-TP | MCC |
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Zener Diode, 4.7V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, QUADROMELF-2 |
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| BZT55C51 | TSC |
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0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
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| BZT55C51 | TEMIC |
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Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
|
| BZT55C51 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
|
| BZT55C51 | TYSEMI |
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500mW Power Dissipation, Low reverse current level |
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| BZT55C51 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES |
|
| BZT55C51 | DIODES |
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Zener Diode, 51V V(Z), 5.8%, 0.5W |
|
| BZT55C51 | SWST |
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稳压二极管 |
|
| BZT55C51 | KEXIN |
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Zener Diodes |
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