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BZT55C56GS08

更新时间: 2024-10-30 20:49:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 153K
描述
Zener Diode, 56V V(Z), 7.143%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, SOD-80, QUADROMELF-2

BZT55C56GS08 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MELF包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:56 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN SILVER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:7.143%工作测试电流:2.5 mA
Base Number Matches:1

BZT55C56GS08 数据手册

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BZT55C...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Very high stability  
Low noise  
Available with tighter tolerances  
96 12009  
Applications  
Voltage stabilization  
Order Instruction  
Type  
BZT55C2V4  
Ordering Code  
BZT55C2V4–GS08  
BZT55C2V4–GS18  
Remarks  
Tape and Reel (2.500 pcs)  
Tape and Reel (10.000 pcs)  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
R
300K/W  
P
V
thJA  
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm  
Symbol  
R
thJA  
Value  
500  
Unit  
K/W  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
Document Number 85601  
Rev. 4, 12-Mar-01  
www.vishay.com  
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