5秒后页面跳转
BZT03-C7V5AMO PDF预览

BZT03-C7V5AMO

更新时间: 2024-02-18 22:00:46
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C7V5AMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最小击穿电压:7 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:11.3 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1500 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BZT03-C7V5AMO 数据手册

 浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZT03-C7V5AMO的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

与BZT03-C7V5AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03C7V5T/R PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C7V5T/R NXP

获取价格

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C7V5-TAP VISHAY

获取价格

Zener Diode, 7.5V V(Z), 6.7%, 1.3W,
BZT03C7V5-TR VISHAY

获取价格

Zener Diode, 7.5V V(Z), 6.7%, 1.3W,
BZT03C82 VISHAY

获取价格

Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03C82 SEMTECH

获取价格

SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C82 LGE

获取价格

POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C82 SWST

获取价格

稳压二极管
BZT03C82 BL Galaxy Electrical

获取价格

82V,1300mW,Zener Diodes
BZT03-C82 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes