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BZT03C8V2

更新时间： 2024-01-12 22:51:48

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4页	259K
描述
SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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BZT03C8V2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.78
最大击穿电压：	8.7 V	最小击穿电压：	7.7 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BZT03C8V2 数据手册

BZT03C…

SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

Feature

• High maximum operating temperature

• Low Leakage current

• Excellent stability

Mechanical Data

• Case: DO-41 molded plastic

• Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

• Lead: Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting position: Any

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

T_tp= 25 C, lead length 10 mm

3.25

1.3

Total Power Dissipation

P_tot

T_amb= 45 C, PCB mounted

Non-repetitive Peak Reverse Power Dissipation

P_RSM

P_ZSM

300

600

(10 / 1000 µs exponential pulse, T_j= 25 C prior to surge)

Non-repetitive Peak Reverse Power Dissipation

(tp = 100 µs, square pulse, T_j= 25 C prior to surge)

Forward Voltage (I_F= 0.5 A, T_j= 25 C )

V_F

T_J

1.2

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 65 to + 175

T_stg

Thermal Characteristics

Value

Parameter

Symbol

R_thj-tp

Unit

K/W

Thermal Resistance from Junction to Tie-point

(Lead length = 10 mm)

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

R_thj-a

100

K/W

¹⁾Device mounted on an epoxy-glass printed circuit board, 1.5 mm thick, thickness of Cu-layer ≥ 40 µm on an must space

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 06/02/2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BZT03C8V2AMO	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C8V2AMO	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C8V2T/R	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C8V2T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
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