BZT03C8V2

更新时间： 2024-02-23 23:24:05

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威世 - VISHAY		二极管测试
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描述
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors

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BZT03C8V2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.78
最大击穿电压：	8.7 V	最小击穿电压：	7.7 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BZT03C8V2 数据手册

BZT03C...

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

94 9539

Medium power voltage regulators and medium

power transient suppression circuits

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=10mm, T =25 C

Type Symbol

Value

3.25

1.3

600

Unit

T =25 C

amb

Repetitive peak reverse power dissipation

Non repetitive peak surge power dissipation t =100 s, T =25 C

Junction temperature

ZRM

ZSM

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=10mm, T =constant

on PC board with spacing 25mm

Symbol

Value

100

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.5A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85599

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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BZT03-C8V2AMO	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
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