5秒后页面跳转
BZT03C82AMO PDF预览

BZT03C82AMO

更新时间: 2024-02-26 02:17:14
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 263K
描述
Zener Diode, 82V V(Z), 5%, 3.25W,

BZT03C82AMO 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.92
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:100 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:3.25 W标称参考电压:82 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)最大电压容差:5%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

BZT03C82AMO 数据手册

 浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZT03C82AMO的Datasheet PDF文件第7页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

与BZT03C82AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03-C82AMO NXP

获取价格

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03-C82T/R NXP

获取价格

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C82-TAP VISHAY

获取价格

Zener Diode, 82V V(Z), 6.1%, 1.3W,
BZT03C82-TR VISHAY

获取价格

Zener Diode, 82V V(Z), 6.1%, 1.3W,
BZT03C8V2 LGE

获取价格

POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C8V2 VISHAY

获取价格

Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03C8V2 SEMTECH

获取价格

SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C8V2 SWST

获取价格

稳压二极管
BZT03C8V2 BL Galaxy Electrical

获取价格

8.2V,1300mW,Zener Diodes
BZT03-C8V2 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes