BZT03-C7V5

更新时间： 2024-02-17 18:23:17

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恩智浦 - NXP		瞬态抑制器稳压二极管测试
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描述
Voltage regulator diodes

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BZT03-C7V5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	E-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	最小击穿电压：	7 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	11.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	1500 µA	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BZT03-C7V5 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Voltage regulator diodes

BZT03 series

GRAPHICAL DATA

MBH534

MBH535

handbook, halfpage

tot

(W)

ZSM

(W)

−2

−1

100

200

t (ms) 10

T (°C)

Solid line: tie-point temperature; lead length = 10 mm.

T_j= 25 °C prior to surge.

Dotted line: ambient temperature; PCB mounted as shown in Fig 6.

Fig.3 Maximum non-repetitive peak reverse

power dissipation as a function of pulse

duration (square pulse).

Fig.2 Maximum total power dissipation as a

function of temperature.

MBH536

handbook, halfpage

RSM

handbook, halfpage

(%)

100

(A)

(V)

MGD521

In accordance with “IEC 60-1, Section 8”.

t₁= 10 µs.

T_j= 25 °C.

t₂= 1000 µs.

Fig.4 Non-repetitivepeakreversecurrent

pulse definition.

Fig.5 Forward current as a function of forward

voltage; typical values.

1996 Jun 11

1...4 5 678 9

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与BZT03-C7V5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03-C7V5/A52R	ETC	ZENER DIODE 3.0W 7.5V	获取价格
BZT03C7V5AMO	PHILIPS	Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 3.25W,	获取价格
BZT03-C7V5AMO	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
BZT03C7V5T/R	PHILIPS	Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 3.25W,	获取价格
BZT03-C7V5T/R	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
BZT03C7V5-TAP	VISHAY	Zener Diode, 7.5V V(Z), 6.7%, 1.3W,	获取价格