BZM55C3V9-TR3

更新时间： 2024-09-19 12:29:31

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
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Small Signal Zener Diodes

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BZM55C3V9-TR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3.9 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN SILVER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.13%	工作测试电流：	5 mA

BZM55C3V9-TR3 数据手册

BZM55-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Saving space

• Hermetic sealed parts

• Electrical data identical with the devices

BZT55..series, TZM..series

• Fits onto SOD-323

• Very sharp reverse characteristic

• Low reverse current level

• Very high stability

PRIMARY CHARACTERISTICS

• Low noise

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.4 to 75

2.5; 5

UNIT

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Pulse current

Single

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS

• Voltage stabilization

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

BZM55-series-TR3

BZM55-series-TR

TAPED UNITS PER REEL

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

2500 (8 mm tape on 7" reel)

MINIMUM ORDER QUANTITY

BZM55-series

10 000

12 500

BZM55-series

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

12 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

MicroMELF

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Power dissipation

Junction to ambient air

R_thJA 300 K/W

P_tot

500

Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1

R_thJA

K/W

35 μm copper clad, 0.9 mm²copper area per

electrode

Junction tie point

R_thJL

300

K/W

T_j

T_stg

I_Z

Junction temperature

Storage temperature range

Zener current

175

- 65 to + 175

P_tot/V_Z

°C

V_F

Forward voltage

I_F= 200 mA

1.5

Rev. 2.1, 25-Nov-11

Document Number: 85597

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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BZM55C3V9-W	RECTRON	获取价格	Zener Diode,
BZM55C4.7BS	RECTRON	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODE
BZM55C4.7BSA	RECTRON	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODE
BZM55C4.7BSB	RECTRON	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODE
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BZM55C43	WINNERJOIN	获取价格	Zener diode
BZM55C43	LGE	获取价格	Zener Diodes
BZM55C43	RECTRON	获取价格	SURFACE MOUNT ZENER DIODE VOLTAGE RANGE 2.4 to 47 Volts POWER RATING 500 mWatts

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