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BYV74W-500

更新时间： 2024-11-11 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
Dual rectifier diodes ultrafast

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BYV74W-500 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.12 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：500 V最大反向恢复时间：0.06 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV74W-500 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual rectifier diodes  
ultrafast  
BYV74W series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 300 V/ 400 V/ 500 V  
a1  
1
a2  
3
VF ≤ 1.12 V  
IO(AV) = 30 A  
trr ≤ 60 ns  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT429 (TO247)  
Dual, common cathode, ultra-fast,  
epitaxial rectifier diodes intended  
for use as output rectifiers in high  
frequency switched mode power  
supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
1
2
The BYV74W series is supplied in  
the conventional leaded SOT429  
(TO247) package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
2
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV74W  
-300  
300  
300  
300  
-400  
400  
400  
400  
-500  
500  
500  
500  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 136˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
-
30  
A
(both diodes conducting)1  
Tmb ≤ 94 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
30  
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode.  
Tmb ≤ 94 ˚C  
t = 10 ms  
-
-
150  
160  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRRM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Thermal resistance junction to per diode  
-
-
-
-
-
45  
2.4  
1.4  
-
K/W  
K/W  
K/W  
heatsink  
both diodes conducting  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to in free air.  
ambient  
1 Neglecting switching and reverse current losses.  
April 1998  
1
Rev 1.000  
12345

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