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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYV79EB-200
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BYV79EB-200

更新时间： 2024-09-24 22:16:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 53K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYV79EB-200 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：14 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV79EB-200 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV79EB series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.9 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
k
tab  
a
3
IF(AV) = 14 A  
IRRM = 0.2 A  
trr ≤ 30 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT404  
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in high frequency switched mode  
power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
no connection  
cathode 1  
tab  
1
2
The BYV79EB series is supplied in  
the surface mounting SOT404  
package.  
3
anode  
2
tab  
cathode  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV79EB  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 145˚C  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified forward  
square wave  
-
-
14  
28  
A
A
current 2  
δ = 0.5; Tmb ≤ 120 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Tmb ≤ 120 ˚C  
Non-repetitive peak forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
150  
160  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRRM(max)  
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
Non-repetitive peak reverse  
current  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package  
2. Neglecting switching and reverse current losses.  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge  
capacitor voltage  
Human body model;  
C = 250 pF; R = 1.5 kΩ  
-
8
kV  
July 1998  
1
Rev 1.100  
1234567

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与BYV79EB-200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV79EB200T/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 14A, 200V V(RRM),
BYV79EB-200T/R NXP

获取价格

 		DIODE 14 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV79EBSERIES NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast. rugged
BYV79ESERIES NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast. rugged
BYV80MW-650PT2 WEEN

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 		Ultrafast power diode in a TO247-2L plastic package.
BYV8M-650P WEEN

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 		Ultrafast power diode in a 2-lead TO220 plastic package
BYV8MB-650P WEEN

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 		Ultrafast power diode in a TO252 (DPAK) plastic package
BYV8MX-650P WEEN

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 		Ultrafast power diode in a 2-lead TO220F plastic package
BYV92-300 PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 21A, 300V V(RRM),

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