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BYV79-200

更新时间： 2024-10-01 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 36K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYV79-200 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：14 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.03 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV79-200 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast  
BYV79 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high efficiency  
rectifier diodes in a plastic envelope,  
featuring low forward voltage drop,  
ultra-fast recovery times and soft  
recovery characteristic. They are  
intended for use in switched mode  
power supplies and high frequency  
circuits in general where low  
conduction and switching losses are  
essential.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BYV79-  
100  
100  
150  
150  
200  
200  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
Forward voltage  
Forward current  
Reverse recovery time  
V
VF  
0.9  
14  
30  
0.9  
14  
30  
0.9  
14  
30  
V
A
ns  
IF(AV)  
trr  
PINNING - TO220AC  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
cathode (k)  
anode (a)  
tab  
a
k
2
tab cathode (k)  
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-100  
100  
100  
100  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage1  
IF(AV)  
Average forward current2  
square wave; δ = 0.5;  
-
14  
A
Tmb ≤ 120 ˚C  
sinusoidal; a = 1.57;  
mb ≤ 122 ˚C  
-
12.7  
A
T
IF(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
-
20  
28  
A
A
T
mb ≤ 120 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
150  
160  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
t = 10 ms  
I2t  
Tstg  
Tj  
I2t for fusing  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-
-40  
-
112  
150  
150  
A2s  
˚C  
˚C  
1 Tmb ≤ 145˚C for thermal stability.  
2 Neglecting switching and reverse current losses.  
October 1994  
1
Rev 1.100  
123456

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