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BYV36GT/R

更新时间: 2024-11-25 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
14页 82K
描述
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYV36GT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:E-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.81 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-134最大重复峰值反向电压:1400 V
最大反向恢复时间:0.25 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYV36GT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV36 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Jul 01  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 30  

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