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BYV40E-150 PDF预览

BYV40E-150

更新时间： 2024-11-17 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYV40E-150 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：6.6 A元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-134
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYV40E-150 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV40E series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
VR = 150 V/ 200 V  
a1  
1
a2  
3
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• low profile surface mounting  
package  
VF ≤ 0.7 V  
IO(AV) = 1.5 A  
IRRM = 0.1 A  
trr ≤ 25 ns  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT223  
Dual, common cathode, ultra-fast,  
epitaxial rectifier diodes intended  
for use as output rectifiers in high  
frequency switched mode power  
supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
4
1
2
The BYV40E series is supplied in  
the SOT223 surface mounting  
package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
2
3
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV40E  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tsp ≤ 120˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
-
1.5  
1.5  
A
(both diodes conducting)1  
Tsp ≤ 132˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tsp ≤ 132 ˚C  
tp = 10 ms  
-
-
6
6.6  
A
A
tp = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRWM(max)  
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
0.1  
0.1  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-65  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
1 Neglecting switching and reverse current losses  
September 1998  
1
Rev 1.300  
123456

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