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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.42 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV40W-600P | WEEN |
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Ultrafast power diode |
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| BYV4100 | NXP |
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Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier |
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| BYV4100/20112 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/20113 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/20133 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/21112 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/21113 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/21133 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/22112 | NXP |
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DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV4100/22113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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