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BYV40E

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYV40E 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.02 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYV40E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYV40E series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
VR = 150 V/ 200 V  
a1  
1
a2  
3
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• low profile surface mounting  
package  
VF ≤ 0.7 V  
IO(AV) = 1.5 A  
IRRM = 0.1 A  
trr ≤ 25 ns  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT223  
Dual, common cathode, ultra-fast,  
epitaxial rectifier diodes intended  
for use as output rectifiers in high  
frequency switched mode power  
supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
4
1
2
The BYV40E series is supplied in  
the SOT223 surface mounting  
package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
2
3
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV40E  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tsp ≤ 120˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave; δ = 0.5;  
-
1.5  
1.5  
A
(both diodes conducting)1  
Tsp ≤ 132˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tsp ≤ 132 ˚C  
tp = 10 ms  
-
-
6
6.6  
A
A
tp = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRWM(max)  
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
0.1  
0.1  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-65  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
1 Neglecting switching and reverse current losses  
September 1998  
1
Rev 1.300  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV40E-150 NXP

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BYV40ESERIES NXP

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