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BYV26A-TAP

更新时间: 2024-11-12 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
BYV26A, BYV26B, BYV26C, BYV26D, BYV26E Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode

BYV26A-TAP 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:E-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.37
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJESD-30 代码:E-LALF-W2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.03 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BYV26A-TAP 数据手册

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BYV26  
Vishay Telefunken  
Very Fast Soft–Recovery Avalanche Rectifier  
Features  
Glass passivated junction  
Hermetically sealed package  
Very low switching losses  
Low reverse current  
High reverse voltage  
Applications  
94 9539  
Switched mode power supplies  
High–frequency inverter circuits  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Reverse voltage  
=Repetitive peak reverse voltage  
Test Conditions  
Type  
BYV26A V =V  
BYV26B V =V  
BYV26C V =V  
BYV26D V =V  
BYV26E V =V  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
V
V
V
A
A
200  
400  
600  
800  
1000  
30  
R
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
R
R
R
R
Peak forward surge current  
Average forward current  
t =10ms, half sinewave  
I
p
FSM  
I
1
FAV  
Non repetitive reverse  
avalanche energy  
I
=400mA,  
E
R
10  
mJ  
(BR)R  
inductive load  
Junction and storage  
temperature range  
T =T  
–55...+175  
C
j
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
l=10mm, T =constant  
Symbol  
R
thJA  
Value  
45  
Unit  
K/W  
L
Document Number 86040  
Rev. 2, 24-Jun-98  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
1 (4)  

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