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BYV26A-TR PDF预览

BYV26A-TR

更新时间： 2024-01-05 10:11:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57

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BYV26A-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：E-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.5
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

BYV26A-TR 数据手册

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BYV26A, BYV26B, BYV26C, BYV26D, BYV26E  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Very low switching losses  
• Low reverse current  
• High reverse voltage  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
949539  
www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
click logo to get started  
DESIGN SUPPORT TOOLS  
• Switched mode power supplies  
• High-frequency inverter circuits  
Models  
Available  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-57  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 369 mg  
ORDERING INFORMATION (Example)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BYV26E  
BYV26E-TR  
5000 per 10" tape and reel  
5000 per ammopack  
25 000  
25 000  
BYV26E  
BYV26E-TAP  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
PACKAGE  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
BYV26A  
VR = 200 V; IF(AV) = 1 A  
VR = 400 V; IF(AV) = 1 A  
VR = 600 V; IF(AV) = 1 A  
VR = 800 V; IF(AV) = 1 A  
BYV26B  
BYV26C  
BYV26D  
BYV26E  
VR = 1000 V; IF(AV) = 1 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sine wave  
PART  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
V
BYV26A  
BYV26B  
BYV26C  
BYV26D  
BYV26E  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IFSM  
200  
400  
V
Reverse voltage = repetitive peak reverse  
voltage  
600  
V
800  
V
1000  
V
Peak forward surge current  
30  
A
Average forward current  
IF(AV)  
1
10  
A
Non repetitive reverse avalanche energy  
Junction and storage temperature range  
I(BR)R = 1 A, inductive load  
ER  
mJ  
°C  
Tj = Tstg  
-55 to +175  
Rev. 1.8, 21-Feb-18  
Document Number: 86040  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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