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BYV26BT/R

更新时间: 2024-02-21 11:59:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
12页 74K
描述
DIODE 0.65 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYV26BT/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.8
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.5 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches:1

BYV26BT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYV26 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 May 30  
Product specification  
Supersedes data of February 1994  

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