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BYG50K

更新时间： 2024-02-17 04:16:19

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圣诺 - SENO		二极管
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2页	145K
描述
1.0A SURFACE MOUNT RECTIFIER

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BYG50K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AC	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.81	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BYG50K 数据手册

Zibo Seno Electronic Engineering Co., Ltd.

BY G50A-BY G50M

1.0

0.8

1.0

0.6

0.4

0.1

0.2

T_j= 25ºC

PULSE WIDTH = 300µs

2% DUTY CYCLE

Resistive or

inductive load

0.01

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

80 100

120

140

160 180

( ° C )

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

T_L, LEAD TEMPERATURE

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

1000

100

8.3ms Single half sine-wave

JEDEC Method

T_j= 125°C

1.0

T_j= 25°C

0.1

0.01

100

120

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 4 Typical Reverse Characteristics

NUMBER OF CYCLES @ 60Hz

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

BY G50A-BY G50M

www.senocn.com

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与BYG50K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BYG50K-T	NXP	DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode	获取价格
BYG50KT/R	PHILIPS	Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM),	获取价格
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BYG50M	TAYCHIPST	Controlled avalanche rectifiers	获取价格
BYG50M	SENO	1.0A SURFACE MOUNT RECTIFIER	获取价格
BYG50M/T1	NXP	DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SOD-106, 2 PIN, Rectifier Diode	获取价格