BYG21M-E3

更新时间： 2024-11-14 12:42:39

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Fast Avalanche SMD Rectifier

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BYG21M-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：	FAST SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.12 µs
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BYG21M-E3 数据手册

BYG21K-E3/HE3, BYG21M-E3/HE3

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Fast Avalanche SMD Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated junction

• Low reverse current

• Soft recovery characteristic

• Fast reverse recovery time

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

DO-214AC (SMA)

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in fast switching rectification of power supply,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer, automotive, and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.5 A

V_RRM

800 V, 1000 V

30 A

I_FSM

MECHANICAL DATA

I_R

1.0 μA

Case: DO-214AC (SMA)

V_F

t_rr

1.6 V

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

120 ns

E_R

20 mJ

T_Jmax.

Package

Diode variation

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix

DO-214AC (SMA)

Single die

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

BYG21K

800

BYG21M

1000

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Average forward current

V_RRM

I_F(AV)

1.5

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Pulse energy in avalanche mode, non repetitive

E_R

°C

(inductive load switch off) I_(BR)R= 1 A, T_J= 25 °C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Revision: 21-Aug-13

Document Number: 88961

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYG21M-E3/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
BYG21M-E3/TR		获取价格	DIODE, SMA FAST 1A 1000V
BYG21M-E3/TR3	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA
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