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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYG22AHE3_A/I
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BYG22AHE3_A/I

更新时间： 2024-11-14 13:02:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
Rectifier Diode,

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BYG22AHE3_A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.62
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：35 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYG22AHE3_A/I 数据手册

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BYG22A thru BYG22D  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated junction  
• Low reverse current  
• Low forward voltage  
• Soft recovery characteristic  
• Ultra fast reverse recovery time  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DO-214AC (SMA)  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer, automotive and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
50 V to 200 V  
35 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AC (SMA)  
1.0 μA  
1.1 V  
VF  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
trr  
25 ns  
ER  
20 mJ  
TJ max.  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
BYG22A  
BYG22A  
50  
BYG22B  
BYG22B  
100  
BYG22D  
BYG22D  
200  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
2.0  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
35  
A
Pulse energy in avalanche mode,  
non repetitive (inductive load switch off)  
ER  
20  
mJ  
°C  
I(BR)R = 1 A, TJ = 25 °C  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Revision: 21-Dec-11  
Document Number: 88959  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYG22AHM3/TR VISHAY

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 		DIODE 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
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