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BY133_11

更新时间： 2024-01-04 15:20:17

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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2页	94K
描述
Silicon Rectifier Diodes - Silizium-Gleichrichterdioden

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BY133_11 数据手册

BY133 ... BY135

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Version 2011-01-10

Nominal current

Nennstrom

1 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

150...1300 V

Ø 2.6^-0.1

Plastic case

DO-41

Kunststoffgehäuse

DO-204AL

Weight approx.

Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 0.77^±0.07

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V] ¹)

BY133

BY134

BY135

1300

600

1600

800

150

200

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

1 A

10 A ²)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

50/55 A

12.5 A²s

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+175°C

Tested with pulses I_R= 100 µA, t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Gemessen mit Impulsen I_R= 100 µA, t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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