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BY133G

更新时间： 2024-02-04 20:17:32
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2页 199K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

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BY133G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.63其他特性：FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1300 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

BY133G 数据手册

 浏览型号BY133G的Datasheet PDF文件第2页 
1N4001G THRU 1N4007G, BY133G  
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER  
Reverse Voltage – 50 to 1300 Volts  
Forward Current – 1.0 Ampere  
DO-41  
0.7-0.9  
Features  
• Low forward voltage drop  
• High Surge current capability  
Min 25.4  
2-2.7  
4.2-5.2  
Min 25.4  
Mechanical Data  
• Case: Molded plastic, DO-41  
• Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,  
method 208 guaranteed  
Dimensions in mm  
• Polarity: Color band denotes cathode end  
• Mounting Position: Any  
Absolute Maximum Ratings and Characteristics  
O
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or  
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
BY  
Unit  
Parameter  
Symbol  
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G 133G  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800 1000 1300  
560 700 910  
800 1000 1300  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
0.375" (9.5mm) Lead Length at TA = 75 OC  
I(AV)  
1
A
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
half sine-wave Superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
30  
Maximum forward Voltage at 1A DC and 25 OC  
VF  
IR  
1.1  
V
Maximum Reverse Current  
TA = 25 OC  
TA = 100 OC  
5
µA  
at Rated DC Blocking Voltage  
50  
Typical Junction Capacitance 1)  
Typical Thermal Resistance 2)  
Typical Thermal Resistance 2)  
CJ  
RθJA  
15  
50  
25  
pF  
OC/W  
OC/W  
OC  
RθJL  
Operating and Storage Temperature range  
TJ,Tstg  
-55 to +150  
1) Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 volts.  
2) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375"(9.5mm) lead length P.C.B. mounted.  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 07/12/2005  
H
12

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与BY133G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY133-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BY133GP VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1600V V(RRM),
BY133GP MCC

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 		Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
BY133GP-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41,
BY133-GT3 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BY133-LF DIOTEC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK
BY133-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK
BY133-T/B FRONTIER

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
BY133-T/R FRONTIER

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
BY133-T3 WTE

获取价格

 		1.0A SILICON RECTIFIER

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