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BY133G

更新时间： 2024-01-13 20:23:39

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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

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BY133G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.63	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1300 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BY133G 数据手册

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON RECTIFIERS

1N4001G - 1N4007G

BY133G

DO - 41

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

FEATURES :

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

* Glass passivated chip

* High current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.080 (2.0)

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

1.00 (25.4)

MECHANICAL DATA :

0.034 (0.86)

MIN.

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

0.028 (0.71)

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

UNIT

4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G 133G

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000 1300 Volts

700 910 Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000 1300 Volts

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75 °C

Peak Forward Surge Current

IF(AV)

1.0

Amp.

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

IFSM

1.0

5.0

Amps.

Volts

Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 Amp.

Maximum DC Reverse Current Ta = 25 °C

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 100 °C

IR(H)

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

RqJA

°C/W

°C

- 65 to + 175

Storage Temperature Range

TSTG

°C

Notes : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

UPDATE : MAY 27, 1998

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与BY133G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BY133-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BY133GP	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1600V V(RRM),
BY133GP	MCC	获取价格	Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
BY133GP-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41,
BY133-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BY133-LF	DIOTEC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK
BY133-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK
BY133-T/B	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
BY133-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
BY133-T3	WTE	获取价格	1.0A SILICON RECTIFIER

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