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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 6 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ71S2-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ71T | MOTOROLA |
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12 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71U | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ71U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ71UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ71W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ71WC | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ72 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ72A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ72A | INTERSIL |
获取价格 |
9A, 100V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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