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BUX85G

更新时间： 2025-10-05 09:03:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
SWITCHMODE NPN Silicon Power Transistors

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BUX85G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.87
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

BUX85G 数据手册

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BUX85G  
SWITCHMODEtNPN Silicon  
Power Transistors  
The BUX85G is designed for high voltage, high speed power  
switching applications like converters, inverters, switching regulators,  
motor control systems.  
http://onsemi.com  
Features  
• V  
• V  
− 450 V  
− 1000 V  
2.0 AMPERES  
POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
CEO(sus)  
CES(sus)  
• Fall time = 0.3 ms (typ) at I = 1.0 A  
C
450 VOLTS, 50 WATTS  
• V  
= 1.0 V (max) at I = 1.0 A, I = 0.2 A  
C B  
CE(sat)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
450  
1000  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
TO−220AB  
CASE 221A−09  
STYLE 1  
V
CEO(sus)  
V
V
CES  
EBO  
1
2
3
Collector Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
2
3.0  
C
I
CM  
Base Current  
− Continuous  
I
0.75  
1.0  
Adc  
Adc  
B
− Peak (Note 1)  
I
I
BM  
MARKING DIAGRAM  
Reverse Base Current − Peak  
1
BM  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
D
50  
400  
W
W/_C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
_C  
J
stg  
BUX85G  
AY WW  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
2.5  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
BUX85 = Device Code  
R
q
JA  
62.5  
275  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle x 10%.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
50 Units / Rail  
BUX85G  
TO−220  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 13  
BUX85/D  
 
1234

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BUX85G 替代型号

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 		暂无描述
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