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BUX86P/B

更新时间: 2024-01-29 00:21:42
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 108K
描述
TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR

BUX86P/B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):26JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):42 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BUX86P/B 数据手册

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