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BUX86P

更新时间： 2024-02-04 09:18:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUX86P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：26JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：42 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BUX86P 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUX86P  
BUX87P  
GENERAL DESCRIPTION  
High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in  
converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
87P  
UNIT  
BUX 86P  
VCESM  
VCEO  
Collector-emitter voltage peak value  
Collector-emitter voltage (open base)  
VBE = 0 V  
-
-
800  
400  
1000  
450  
V
V
VCESAT  
IC  
ICM  
Ptot  
tf  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector current (DC)  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Fall time  
IC = 0.2 A; IB = 20 mA  
-
1
0.5  
1
42  
-
V
A
-
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
µs  
IC = 0.2 A; IB(on) = 20 mA  
0.28  
PINNING - SOT82  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
emitter  
collector  
base  
2
b
3
2
3
e
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BUX 86P  
87P  
VCESM  
VCEO  
Collector-emitter voltage peak value  
Collector-emitter voltage (open base)  
VBE = 0 V  
-
-
800  
400  
1000  
450  
V
V
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage (open collector)  
Collector current (DC)  
-
5
V
A
-
0.5  
1
ICM  
IB  
Collector current (peak value) tp = 2 ms  
Base current (DC)  
-
A
-
0.2  
0.3  
0.3  
42  
150  
150  
A
IBM  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base current (peak value)  
Reverse base current (peak value)1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
A
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-40  
-
1 Turn-off current.  
November 1995  
1
Rev 1.100  
123456

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BUX86P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2462 TOSHIBA

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 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
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