5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 4900 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUX85WD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BUX86 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH VWLTAGE SWITCHING TRANSISTORS |
|
| BUX86 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
|
| BUX86P | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BUX86P/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
|
| BUX87 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH VWLTAGE SWITCHING TRANSISTORS |
|
| BUX87 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUX87 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
|
| BUX87-1100 | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BUX87P | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
