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BUP212

更新时间: 2024-11-13 22:27:59
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英飞凌 - INFINEON 开关
页数 文件大小 规格书
7页 55K
描述
Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated

BUP212 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7最大集电极电流 (IC):22 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE
最大降落时间(tf):120 ns门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 VJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):100 ns子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):460 ns
标称接通时间 (ton):105 nsBase Number Matches:1

BUP212 数据手册

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BUP 212  
Infineon  
IGBT  
• Low forward voltage drop  
• High switching speed  
• Low tail current  
• Latch-up free  
• Avalanche rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
C
E
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
CE  
C
BUP 212  
1200V 22A  
TO-220 AB  
Q67040-A4408
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
V
1200  
V
CE  
EC  
CGR  
R
= 20 kΩ  
1200  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
A
C
T = 25 °C  
22  
8
C
T = 110 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
I
p
Cpuls  
T = 25 °C  
44  
16  
C
T = 110 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
P
mJ  
W
AS  
tot  
I = 8 A, V  
= 50 V, R = 25 Ω  
GE  
C
CC  
L = 300 µH, T = 25 °C  
10  
j
Power dissipation  
T = 25 °C  
125  
C
Chip or operating temperature  
Storage temperature  
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
T
stg  
Semiconductor Group  
1
May-05-1997  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUP212E3045 INFINEON

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB,
BUP213 INFINEON

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