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BUP213

更新时间: 2024-11-13 22:27:59
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页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

BUP213 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
其他特性:HIGH SPEED最大集电极电流 (IC):32 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE
最大降落时间(tf):95 ns门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 VJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):70 ns子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):400 ns
标称接通时间 (ton):70 nsBase Number Matches:1

BUP213 数据手册

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BUP 213  
IGBT  
Preliminary data  
• Low forward voltage drop  
• High switching speed  
• Low tail current  
• Latch-up free  
• Avalanche rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
C
E
Type  
V
CE  
I
Package  
Ordering Code  
C
BUP 213  
1200V 32A  
TO-220 AB  
Q67040-A4407-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
1200  
V
CE  
CGR  
R
= 20 k  
1200  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
A
C
T = 25 °C  
32  
20  
C
T = 90 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
I
p
Cpuls  
T = 25 °C  
64  
40  
C
T = 90 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
P
tot  
mJ  
I = 15 A, V = 50 V, R = 25  
C
CC  
GE  
L = 200 µH, T = 25 °C  
22  
j
Power dissipation  
W
T = 25 °C  
C
200  
Chip or operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 150  
-55 ... + 150  
°C  
j
stg  
Semiconductor Group  
1
Nov-30-1995  

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