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BUP212E3045

更新时间： 2024-11-14 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	56K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB,

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BUP212E3045 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	22 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	460 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

BUP212E3045 数据手册

BUP 212

IGBT

• Low forward voltage drop

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Avalanche rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

BUP 212

1200V 22A

TO-220 AB

Q67040-A . . . . .

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-collector voltage

Collector-gate voltage

1200

CGR

= 20 kΩ

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

T = 110 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

T = 110 °C

Avalanche energy, single pulse

tot

I = 8 A, V

= 50 V, R = 25 Ω

L = 300 µH, T = 25 °C

Power dissipation

T = 25 °C

125

Chip or operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

Semiconductor Group

May-05-1997

12 3 4 5 6 7

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