BUP202

更新时间： 2024-09-25 22:27:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free)

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BUP202 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BUP202 数据手册

BUP 202

IGBT

Preliminary data

• Low forward voltage drop

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Avalanche rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

BUP 202

1000V 12A

TO-220 AB

Q67078-A4401-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1000

CGR

Ω

= 20 k

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

T = 90 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

T = 90 °C

Avalanche energy, single pulse

tot

Ω

I = 5 A, V = 24 V, R = 25

L = 3.3 mH, T = 25 °C

Power dissipation

T = 25 °C

100

Chip or operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150

°C

stg

Semiconductor Group

Dec-06-1995

12 3 4 5 6 7

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