Datasheet > BUK9240-100A,118

BUK9240-100A,118

更新时间： 2024-10-01 21:07:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	160K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9240-100A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DPAK	包装说明：	PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.69	雪崩能效等级（Eas）：	31 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A
最大漏极电流 (ID)：	33 A	最大漏源导通电阻：	0.0446 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	114 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	135 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9240-100A,118 数据手册

BUK9240-100A

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 15 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

100

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

114

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

38.6 mΩ

44.6 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

mΩ

see Figure 12; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 25 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

BUK9240-100A,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD25NF10LT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET

与BUK9240-100A,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9245-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9245-55A/C,118	NXP	获取价格	BUK9245-55A - N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9275-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9275-100A,118	NXP	获取价格	BUK9275-100A - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
BUK9277-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9277-55A,118	NXP	获取价格	BUK9277-55A - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
BUK9277-55A/CD	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK9504-40A	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK9504-40A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9504-40A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin

与BUK9240-100A,118相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

36
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

30
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9240-100A,118

BUK9240-100A,118 技术参数

BUK9240-100A,118 数据手册

BUK9240-100A,118 替代型号

与BUK9240-100A,118相关器件

与BUK9240-100A,118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9240-100A,118

BUK9240-100A,118 技术参数

BUK9240-100A,118 数据手册

BUK9240-100A,118 替代型号

与BUK9240-100A,118相关器件

与BUK9240-100A,118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？