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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 724 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 907 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK662R7-55C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK663R2-40C | NXP |
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100A, 40V, 0.0057ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| BUK663R2-40C,118 | ETC |
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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
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| BUK663R5-30C | NXP |
获取价格 |
100A, 30V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| BUK663R5-55C | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS FET |
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| BUK663R5-55C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK663R7-75C | NXP |
获取价格 |
120A, 75V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| BUK664R4-55C | NXP |
获取价格 |
100A, 55V, 0.0077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| BUK664R4-55C,118 | NXP |
获取价格 |
BUK664R4-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK664R6-40C | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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