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BUK663R2-40C

更新时间： 2024-11-21 21:22:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 195K
描述
100A, 40V, 0.0057ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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BUK663R2-40C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：368 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：697 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK663R2-40C 数据手册

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BUK663R2-40C  
N-channel TrenchMOS intermediate level FET  
Rev. 2 — 14 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)  
in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been  
designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance  
automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for intermediate level gate  
drive sources  
1.3 Applications  
„ 12 V Automotive systems  
„ Start-Stop micro-hybrid applications  
„ Transmission control  
„ Electric and electro-hydraulic power  
steering  
„ Ultra high performance power  
„ Motors, lamps and solenoid control  
switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
40  
V
[1]  
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1  
100  
204  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
-
2.7  
3.2  
mΩ  
on-state  
Tj = 25 °C; see Figure 11  
resistance  
 
 
 
 
 
1234567...14

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与BUK663R2-40C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK663R2-40C,118 ETC

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 		MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
BUK663R5-30C NXP

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 		100A, 30V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
BUK663R5-55C NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET
BUK663R5-55C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin
BUK663R7-75C NXP

获取价格

 		120A, 75V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
BUK664R4-55C NXP

获取价格

 		100A, 55V, 0.0077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
BUK664R4-55C,118 NXP

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 		BUK664R4-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin
BUK664R6-40C NXP

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 		暂无描述
BUK664R6-40C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET D2PAK 3-Pin
BUK664R8-75C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET D2PAK 3-Pin

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