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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436W200B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-200B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK436W-200B,127 | NXP |
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17A, 200V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-200B127 | NXP |
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TRANSISTOR 17 A, 200 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
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| BUK436W800A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-800A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W-800A,127 | NXP |
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4A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-800A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose Po |
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| BUK436W800B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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