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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436-50B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436-60A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK436-60B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 46 A, 60 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK436-800A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436-800A/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
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| BUK436-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W1000B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-1000B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W-1000B,127 | NXP |
获取价格 |
3.1A, 1000V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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