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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 210 ns | 最大开启时间（吨）： | 65 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436W-1000B,127 | NXP |
获取价格 |
3.1A, 1000V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-1000B127 | NXP |
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TRANSISTOR 3.1 A, 1000 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
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| BUK436W200A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W-200A,127 | NXP |
获取价格 |
19A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-200A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 19 A, 200 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpos |
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| BUK436W200B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W-200B,127 | NXP |
获取价格 |
17A, 200V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-200B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 17 A, 200 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
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