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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436-60B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 46 A, 60 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK436-800A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK436-800A/B | ETC |
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TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
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| BUK436-800B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK436W1000B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-1000B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436W-1000B,127 | NXP |
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3.1A, 1000V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| BUK436W-1000B127 | NXP |
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TRANSISTOR 3.1 A, 1000 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
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| BUK436W200A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436W-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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