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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BUK427-600B | ETC | N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK428-1000A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.9A I(D) | SOT-199 |
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| BUK428-1000B | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-199 |
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| BUK428-500B | ETC | N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK428-800A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-199 |
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| BUK428-800B | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-199 |
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