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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK436-100A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 33 A, 100 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK436-100B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436-100B/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
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| BUK436-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436-200A/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
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| BUK436-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK436-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436-50B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK436-60A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK436-60B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 46 A, 60 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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