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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK417-500BE | NXP |
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TRANSISTOR 28 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500BE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK426-1000A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-1000B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-100A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-100B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-200A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-200B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-50A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK426-50B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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