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BU2720DF

更新时间: 2024-02-13 07:20:33
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

BU2720DF 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.57
Base Number Matches:1

BU2720DF 数据手册

 浏览型号BU2720DF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BU2720DF的Datasheet PDF文件第3页 
SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BU2720DF  
CHARACTERISTICS  
Tj=25ꢀ unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
V(BR)EBO  
VCEsat  
VBEsat  
ICES  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
825  
7.5  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH  
Emitter-base breakdown voltage  
IE=600mA ;IC=0  
V
Collector-emitter saturation voltage IC=5.5A ;IB=1.38 A  
1.0  
1.0  
V
Base-emitter saturation voltage  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
IC=5.5A ;IB=1.38 A  
V
VCE=BVCES; VBE=0  
Tj=125ꢀ  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
IEBO  
VEB=7.5V; IC=0  
IC=0.1A ; VCE=5V  
IC=5.5A ; VCE=1V  
100  
300  
7.5  
hFE-1  
22  
hFE-2  
DC current gain  
4
5.5  
2

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