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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 其他特性： | FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 850 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 7500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1500 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3148 | TOSHIBA |
功能相似  |
NPN TRIPLE DIFFUSED(for Switching Regulator and High Voltage) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU1706AB | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU1706A-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BU1706AX | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU1706AX | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BU1706AX | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU1708AX | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BU1708AX | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
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| BU17101AKV-ME2 | ROHM |
获取价格 |
Consumer Circuit, PQFP48, 9 X 9 MM, 1.63 MM HEIGHT, VQFP-48 |
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| BU17102AKV-ME2 | ROHM |
获取价格 |
Consumer Circuit, PQFP48, 9 X 9 MM, 1.63 MM HEIGHT, VQFP-48 |
|
| BU17P-TCS-LE | JST |
获取价格 |
安全锁定结构，防止意外撬入 |
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