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BU1706AX

更新时间: 2024-01-13 20:02:12
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 205K
描述
Silicon NPN Power Transistors

BU1706AX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88其他特性:FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:850 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:32 W
最大功率耗散 (Abs):32 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):7500 ns最大开启时间(吨):1500 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

BU1706AX 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BU1706AX  
DESCRIPTION  
·With TO-220F package  
·High voltage  
·High speed switching  
APPLICATIONS  
·For use in high frequency electronic  
lighting ballast applications.  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol  
3
Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
V
1750  
Open base  
850  
V
Open collector  
7.5  
V
5
A
ICM  
Collector current (peak)  
Base current  
8
A
IB  
3
5
A
IBM  
Base current (peak)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
A
PT  
TC=25ꢀ  
32  
W
Tj  
150  
-40~150  
Tstg  

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