BU1706AX

更新时间： 2024-09-28 06:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	98K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU1706AX 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU1706AX

DESCRIPTION

·High Voltage

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for use in high frequency electronic lighting

ballast applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CESM

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

1750

V_BE= 0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

750

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-40~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

4.0

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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