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BTA1759A3

更新时间： 2024-11-09 04:09:31

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTA1759A3 数据手册

Spec. No. : C309A3-R

Issued Date : 2003.10.15

Revised Date : 2004.04.02

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

BTA1759A3

Description

• High breakdown voltage. (BV_CEO=-400V)

• Low saturation voltage, typical V_CE(sat)= -0.2V at Ic / I_B= -20mA /-2mA.

• Wide SOA (safe operation area).

• Complementary to BTC4505A3.

Symbol

Outline

BTA1759A3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E B C

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-400

-7

-300

625

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55~+150

BTA1759A3

CYStek Product Specification

12 3 4

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