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BTA2008-800E

更新时间： 2024-11-28 17:00:47
品牌 Logo 应用领域
瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
13页 266K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package. This "series E" triac balances the requirements of commutation performance and gate sensitivity and is intended for interfacing with low power drivers and logic ICs including microcontrollers.

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BTA2008-800E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66其他特性：SENSITIVE GATE
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大均方根通态电流：0.8 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTA2008-800E 数据手册

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BTA2008-800E  
3Q Hi-Com Triac  
28 September 2016  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package. This  
"series E" triac balances the requirements of commutation performance and gate sensitivity and is  
intended for interfacing with low power drivers and logic ICs including microcontrollers.  
2. Features and benefits  
•
3Q technology for improved noise immunity  
•
•
•
•
•
•
Direct gate triggering from low power drivers and logic ICs  
High commutation capability with sensitive gate  
High voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
•
•
•
Low power motor controls  
Small inductive loads e.g. solenoids, door locks, water valves  
Small loads in large white goods  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave; Tlead ≤ 70 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8  
9
A
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
A
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 16.7 ms  
9.9  
125  
A
Tj  
junction temperature  
°C  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
0.5  
0.5  
-
-
10  
10  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTA2008-800E,412 NXP

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 		BTA2008-800E
BTA2008W-600D NXP

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 		4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, PLASTIC PACKAGE-4
BTA2008W-600D WEEN

获取价格

 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT223 surface mountable plas
BTA2008W-600D,135 NXP

获取价格

 		BTA2008W-600D
BTA2008W-800D NXP

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 		4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
BTA2008W-800D WEEN

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 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT223 surface mountable plas
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 		BTA2008W-800D
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 		1 A Three-quadrant triacs high commutation

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