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BTA1727L3

更新时间： 2024-11-24 06:44:27

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTA1727L3 数据手册

Spec. No. : C236L3

Issued Date : 2005.08.16

Revised Date : 2005.08.18

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

BTA1727L3

Features

• High breakdown voltage, BV_CEO=-400V

• Low saturation voltage

• High switching speed.

• Complementary to BTD2568L3

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTA1727L3

SOT-223

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current(DC)

Collector Current(Pulse)

Base Current

VCBO

VCEO

VEBO

-400

-6

-300

-1

ICP

-100

Power Dissipation @TC=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55~+150

°C

BTA1727L3

CYStek Product Specification

12 3 4

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